為什么隔墊流失和柱流失是不同的問(wèn)題。我的固定答案是隔墊流失的基峰為 m/z 73,色譜柱流失的基峰為 m/z 207,我們可以用 GC-MS 證明這一點(diǎn)。請(qǐng)記住,色譜柱排放物和隔墊排放物均由環(huán)狀硅氧烷組成,這引出了使它們不同的問(wèn)題。
隔墊流失的一個(gè)被忽視的區(qū)域是樣品瓶隔墊,雖然不太常見(jiàn),但即使在運(yùn)行了幾次空白后,它仍會(huì)出現(xiàn)尖銳的重復(fù)峰。準(zhǔn)備單獨(dú)的 PTFE 內(nèi)襯樣品瓶可以zui大限度地減少或消除樣品瓶中的隔墊滲漏
(1) 使用小瓶插入物時(shí),問(wèn)題可能會(huì)被夸大,并且還會(huì)降解目標(biāo)化合物;例如 Endrin & DDT
(2) 除了濃縮樣品中的污染物外,穿刺后的蒸發(fā)損失還會(huì)導(dǎo)致高偏差。取芯,無(wú)論是來(lái)自樣品瓶還是進(jìn)樣口隔墊,都會(huì)導(dǎo)致硅氧烷數(shù)量增加,從而表現(xiàn)為“鬼”峰。錐形 23s-26s 針頭可zui大限度地減少進(jìn)樣口襯管中的隔墊顆粒。使用 Merlin Microseal 可以減少流失并消除取芯的可能性,并且可以降低入口中的活性 (3,4,5,6)。
圖 1:與提取離子色譜圖 (EIC) m/z 73 和 m/z 207 疊加的總離子色譜圖 (TIC)。
既然我們知道如何zui大限度地減少隔墊流失,讓我們通過(guò)查看色譜圖來(lái)了解色譜柱流失和隔墊流失之間的區(qū)別。圖 1 中的色譜圖是儀器在周末閑置后的第1次運(yùn)行。柱溫箱溫度設(shè)置為 35°C,這意味著載氣中的任何污染物(隔墊流出物)都集中在柱頭。黑色跡線是總離子色譜圖 (TIC),而紅色跡線代表 m/z 73,藍(lán)色跡線代表 m/z 207。首先注意 m/z 73 是離散峰,即分析物集中在柱頭并在程序升溫分析過(guò)程中分配進(jìn)出固定相。另一方面,色譜柱流失顯示為基線上升,并且是硅氧烷的混合物。
圖 2:D3 和 D4 環(huán)硅氧烷的質(zhì)譜圖,EIC 代表柱流失(藍(lán)色跡線 m/z 207)和隔墊流失(紅色跡線 m/z 73)。
圖 2:聚二甲基硅氧烷 (PDMS) 固定相的降解主要形成兩種環(huán)狀硅氧烷;六甲基環(huán)三硅氧烷(D3)和八甲基環(huán)四硅氧烷(D4)。這兩種硅氧烷的組合產(chǎn)生了獨(dú)特的 m/z 207 和 m/z 281。請(qǐng)注意,與全部共享 m/z 73 的較大環(huán)狀硅氧烷相比,碎片化導(dǎo)致 m/z 73 的豐度較低。基峰(圖 3)。以 m/z 73 的 EIC(紅色跡線)表示的隔墊流失具有一系列較高分子量的環(huán)狀硅氧烷,從 D7 到 D10(及以上)。
圖 3:基峰為 m/z 73 的隔墊流失的典型光譜
隔墊滲漏通常會(huì)被識(shí)別為上述光譜之一,尤其是當(dāng)掃描范圍限于 m/z 550 時(shí)。存在較高分子量的硅氧烷,但由于目標(biāo)光譜超過(guò) 550 原子質(zhì)量單位 (AMU),因此無(wú)法正確識(shí)別。
識(shí)別硅氧烷的來(lái)源使故障排除變得更加容易。雖然隔墊流失和色譜柱流失確實(shí)是一樣的;也就是說(shuō),它們都是由環(huán)狀硅氧烷組成,分子量相差很大,導(dǎo)致光譜不同。